تراشه های حافظه MT40A512M16LY-075-E EMMC DRAM DDR4 8G 512MX16

توضیحات محصول

MT40A512M16LY-075-E حافظه اصلی DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA ذخیره سازی داده ها

امکانات

• VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV

• VPP = 2.5V, –125mV, +250mV

• تولید VREFDQ روی قالب، داخلی و قابل تنظیم

• ورودی/خروجی شبه تخلیه باز 1.2 ولت

• زمان تازه‌سازی 8192 چرخه در محدوده دمایی TC: – 64 میلی‌ثانیه در دمای 40- تا 85 درجه سانتی‌گراد – 32 میلی‌ثانیه در دمای >85 درجه سانتی‌گراد تا 95 درجه سانتی‌گراد – 16 میلی‌ثانیه در دمای بالای 95 درجه سانتی‌گراد تا 105 درجه سانتی‌گراد

• 16 بانک داخلی (x4, x8): 4 گروه 4 بانکی هر کدام

• 8 بانک داخلی (x16): 2 گروه از 4 بانک هر کدام • معماری 8n-bit prefetch

• مقدمه های بارق داده قابل برنامه ریزی

• آموزش مقدمه دیتا استروب

• تأخیر فرمان/آدرس (CAL)

• قابلیت READ و WRITE رجیستر چند منظوره

• سطح بندی را بنویسید

• حالت تازه سازی خود

• تجدید خودکار خودکار کم مصرف (LPASR)

• تازه سازی کنترل شده با دما (TCR)

• تازه کردن دانه بندی خوب

• خود رفرش سقط شود

• حداکثر صرفه جویی در مصرف برق

• کالیبراسیون درایور خروجی

• پایان روی قالب اسمی، پارک، و پویا (ODT)

• وارونگی گذرگاه داده (DBI) برای گذرگاه داده

• برابری فرمان/آدرس (CA).

• بررسی افزونگی چرخه‌ای نوشتن دیتابیس (CRC)

• آدرس پذیری در هر DRAM

• تست اتصال

• سازگار با JEDEC JESD-79-4

• قابلیت sPPR و hPPR