توضیحات محصول
MRF9045LR1ترانزیستور RF ترانزیستور دوقطبی Si اصل موجود در انبار
ASI MRF9045LR1 یک ولتاژ بالا، فلزی طلایی است.
نیمه هادی اکسید فلزی با انتشار جانبیایده آل برای امروز
کاربردهای تقویت کننده قدرت RF
|
ترانزیستور RF MOSFET |
| RoHS: |
جزئیات |
|
کانال N |
|
سی |
|
4.25 A |
|
65 V |
|
945 مگاهرتز |
|
18.8 دسی بل |
|
60 وات |
|
SMD/SMT |
|
NI-360 |
|
سینی |
| پیکربندی: |
تنها |
| رسانایی رو به جلو - حداقل: |
3 اس |
| Pd - اتلاف نیرو: |
117 وات |
| نوع محصول: |
ترانزیستور RF MOSFET |
| زیر مجموعه: |
ماسفت ها |
| نوع: |
ماسفت RF پاور |
| Vgs - ولتاژ گیت منبع: |
15 V |
| Vgs th - ولتاژ آستانه دروازه منبع: |
4.8 V |
| واحد وزن: |
0.032480 اونس |
معمولی دو•
-
عملکرد تون در 945 مگاهرتز، 28 ولت
توان خروجی - 45 وات PEP
افزایش توان - 18.8 دسی بل
راندمان - 42٪
IMD -
-
32 dBc
•
حفاظت ESD یکپارچه
•
طراحی شده برای حداکثر بهره و صافی فاز درج
•
قابلیت مدیریت 10:1 VSWR، @ 28 Vdc، 945 مگاهرتز، 45 وات CW
توان خروجی
•
پایداری حرارتی عالی
•
با سری معادل بزرگ مشخص می شود
-
پارامترهای امپدانس سیگنال
•
در نوار و حلقه.پسوند R1 = 500 واحد در هر 32 میلی متر، قرقره 13 اینچی.
•
ضخامت کم آبکاری طلا روی سرب.L پسوند 40 را نشان می دهد
μ′′
نامگذاری
•
معمولی دو
-
عملکرد تون در 945 مگاهرتز، 28 ولت
توان خروجی - 45 وات PEP
افزایش توان - 18.8 دسی بل
راندمان - 42٪
IMD -
-
32 dBc
•
حفاظت ESD یکپارچه
•
طراحی شده برای حداکثر بهره و صافی فاز درج
•
قابلیت مدیریت 10:1 VSWR، @ 28 Vdc، 945 مگاهرتز، 45 وات CW
توان خروجی
•
پایداری حرارتی عالی
•
با سری معادل بزرگ مشخص می شود
-
پارامترهای امپدانس سیگنال
•
در نوار و حلقه.پسوند R1 = 500 واحد در هر 32 میلی متر، قرقره 13 اینچی.
•
ضخامت کم آبکاری طلا روی سرب.L پسوند 40 را نشان می دهد
μ′′
نامگذاری
•
معمولی دو
-
عملکرد تون در 945 مگاهرتز، 28 ولت
توان خروجی - 45 وات PEP
افزایش توان - 18.8 دسی بل
راندمان - 42٪
IMD -
-
32 dBc
•
حفاظت ESD یکپارچه
•
طراحی شده برای حداکثر بهره و صافی فاز درج
•
قابلیت مدیریت 10:1 VSWR، @ 28 Vdc، 945 مگاهرتز، 45 وات CW
توان خروجی
•
پایداری حرارتی عالی
•
با سری معادل بزرگ مشخص می شود
-
پارامترهای امپدانس سیگنال
•
در نوار و حلقه.پسوند R1 = 500 واحد در هر 32 میلی متر، قرقره 13 اینچی.
•
ضخامت کم آبکاری طلا روی سرب.L پسوند 40 را نشان می دهد
μ′′
نامگذاری
•
معمولی دو
-
عملکرد تون در 945 مگاهرتز، 28 ولت
توان خروجی - 45 وات PEP
افزایش توان - 18.8 دسی بل
راندمان - 42٪
IMD -
-
32 dBc
•
حفاظت ESD یکپارچه
•
طراحی شده برای حداکثر بهره و صافی فاز درج
•
قابلیت مدیریت 10:1 VSWR، @ 28 Vdc، 945 مگاهرتز، 45 وات CW
توان خروجی
•
پایداری حرارتی عالی
•
با سری معادل بزرگ مشخص می شود
-
پارامترهای امپدانس سیگنال
•
در نوار و حلقه.پسوند R1 = 500 واحد در هر 32 میلی متر، قرقره 13 اینچی.
•
ضخامت کم آبکاری طلا روی سرب.L پسوند 40 را نشان می دهد
μ′′
نامگذاری
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
-
1
داده های دستگاه RF
نیمه هادی مقیاس آزاد
ترانزیستورهای اثر میدان قدرت RF
ن
-
بهبود کانال
-
حالت ماسفت های جانبی
طراحی شده
برای کاربردهای تجاری و صنعتی باند پهن با فرکانس
تا 1000 مگاهرتز.GA بالا
در و عملکرد پهنای باند این
دستگاه ها آنها را برای بزرگ ایده آل می کنند
-
سیگنال، مشترک
-
برنامه تقویت کننده منبع-
یون در تجهیزات ایستگاه پایه 28 ولت.
•
معمولی دو
-
عملکرد تون در 945 مگاهرتز، 28 ولت
توان خروجی - 45 وات PEP
افزایش توان - 18.8 دسی بل
راندمان - 42٪
IMD -
-
32 dBc
•
حفاظت ESD یکپارچه
•
طراحی شده برای حداکثر بهره و صافی فاز درج
•
قابلیت مدیریت 10:1 VSWR، @ 28 Vdc، 945 مگاهرتز، 45 وات CW
توان خروجی
•
پایداری حرارتی عالی
•
با سری معادل بزرگ مشخص می شود
-
پارامترهای امپدانس سیگنال
•
در نوار و حلقه.پسوند R1 = 500 واحد در هر 32 میلی متر، قرقره 13 اینچی.
•
ضخامت کم آبکاری طلا روی سرب.L پسوند 40 را نشان می دهد
μ′′
خیر
