|
جزئیات محصول:
|
|
| محل منبع: | اصلی |
|---|---|
| نام تجاری: | original |
| گواهی: | ISO9001:2015standard |
| شماره مدل: | 2N3439 |
|
پرداخت:
|
|
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 10 عدد |
| قیمت: | Contact us to win best offer |
| جزئیات بسته بندی: | استاندارد |
| زمان تحویل: | 1-3 روز کاری |
| شرایط پرداخت: | L/C، T/T، Western Union، Paypal |
| قابلیت ارائه: | 10000 عدد / ماه |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| سبک نصب: | از طریق سوراخ | بسته / مورد:: | TO-39-3 |
|---|---|---|---|
| بسته بندی:: | فله | زیر مجموعه:: | EEPROM |
| زیر مجموعه: | ترانزیستورها | Pd - اتلاف نیرو:: | 800 مگاوات |
| برجسته: | ترانزیستور پیوند دوقطبی 2N3439,ترانزیستور اتصال دوقطبی از طریق سوراخ TO393,تراشه آی سی ترانزیستور 2N3439 |
||
توضیحات محصول
2N3439 ترانزیستورهای دوقطبی نیمه هادی گسسته از طریق سوراخ TO-39-3
| سازنده: | اصلی |
| رده محصولات: | ترانزیستورهای دوقطبی - BJT |
| RoHS: | ن |
| سبک نصب: | از طریق سوراخ |
| بسته / مورد: | TO-39-3 |
| قطبیت ترانزیستور: | NPN |
| پیکربندی: | تنها |
| حداکثر ولتاژ کلکتور- امیتر VCEO: | 350 ولت |
| جمع کننده- ولتاژ پایه VCBO: | 450 ولت |
| امیتر-ولتاژ پایه VEBO: | 7 V |
| ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر: | 500 میلی ولت |
| حداکثر جریان جمع کننده DC: | 1 A |
| Pd - اتلاف نیرو: | 800 مگاوات |
| محصول افزایش پهنای باند fT: | - |
| حداقل دمای عملیاتی: | - 65 درجه سانتیگراد |
| حداکثر دمای عملیاتی: | + 200 درجه سانتیگراد |
| بسته بندی: | فله |
| نام تجاری: | اصلی |
| نوع محصول: | BJTs - ترانزیستورهای دوقطبی |
| مقدار بسته کارخانه: | 1 |
| زیر مجموعه: | ترانزیستورها |
| فن آوری: | سی |
| واحد وزن: | 0.213044 اونس |
وارد کنید پیام شما
| Walton Electronics Co., Ltd. |
| 5C، ساختمان D، GALAXY WORLD.Longhua District، Shenzhen.CN |
| 86-0755-8835-8585 |
| Walton-cara@walton-ic.com |
